被银法又称烧银法，是指在陶瓷表面烧渗一层银，作为电容器、滤波器的电极或集成电路基片的导电网络。由于银的导电能力很强，抗氧化性能好，在银面上可直接焊接金属。但对于电性能要求较高的材料，如在高温、高湿和直流电场作用下使用，则不宜采用被银法。
被银法的工艺流程：
瓷件预处理－＞银浆的配制（含银原料、熔剂、粘合剂）－＞涂敷－＞烧银
（1）、瓷件的预处理
瓷件在涂敷银浆之前必须预先进行净化处理。处理的方法很多，通常用70-80℃的肥皂水浸洗，在用清水冲洗。也可采用合成洗涤剂超声波振动清洗。清洗后在100-110℃烘箱中烘干。当对银层的质量要求较高时，可在电炉中煅烧500-600℃，烧去瓷坯表面的各种有机污秽。

（2）、银浆的配制
1、含银原料 含银原料主要有Ag2CO3、Ag2O、Ag 。
Ag2CO3在烧渗中放出大量CO2容易使银层气泡或起鳞皮，由于它分解为氧化银，使得银浆的性能不稳定，因此用的不多。
Ag2O由Ag2CO3分解得到，颗粒一般较细，烧渗后的
银层质量较好，但也可采用化学纯Ag2O，由于颗粒较
粗，烧渗后的银层质量不如前者。

Ag可直接用三乙醇胺[N(CH2CH2OH)3]还原Ag2CO3得到 ，Ag2CO3+N(CH2CH2OH)3=N(CH2COOH)3+12Ag+6CO2+3H2O
  也可用AgNO3加入氨水后用甲醛或甲酸还原得到。

AgNO3+NH4OH=AgOH+NH4NO3
2AgOH=Ag2O+H2O
Ag2O+CH2O=2Ag+HCOOH

2、熔剂
为了降低烧银温度，并使银与基体牢固结合，
需要加入适量熔剂。这种熔剂在较低的温度
下能与基体起反应，形成良好的中间过渡层，
使金属银牢固紧密地与基体结合。熔剂一般
包括熔块和低熔点化合物。
   铅硼熔块配方：二氧化硅26%，铅丹46%， 硼酸17%，二氧化钛4.3%，碳酸钠6.7%，混合研磨后在1000-1100 ℃熔融。
 铋镉熔块配方：氧化铋40.5%，氧化镉11.1%，二氧化硅13.5%，硼酸33%，氧化钠1.9%。混合后在800 ℃熔融。
以上熔块熔融后，水淬冷却，清洗，粉磨，过万孔筛。
低熔点化合物根据具体配方不同可直接采用化学试剂
或预先合成，如：硼酸铅采用PbO与H3BO3 熔融
（600=620 ℃ ）PbO+ H3BO3 = PbB2O3 +3H2O，经过水
淬冷后，用蒸馏水煮3-6小时，去除未反应完全的
H3BO3，洗净烘干，研磨，过万孔筛

3.粘合剂
粘合剂的作用是使银浆具有一定的粘稠性，能很好的粘附在瓷件表面。但不参与银的烧渗过程，要求它在低于350 ℃的温度下烧除干净且不残存灰分。
常用的粘合剂有松香，乙基纤维素，硝化纤维等，溶剂主要影响银浆的稀稠及干燥速度，常用松节油，松油醇及环己酮等。
将制备好的含银原料，熔剂和黏合剂按一定配比进行配料后，在刚玉球磨罐中球磨70-90小时，以达到一定要求的细度和混合均匀度。

（3）、涂敷

涂银的方法很多，有手工，机械，浸涂，喷涂或丝网印刷。涂敷前要将银浆搅拌均匀，必要时加入一定的溶剂，如松节油。根据银层厚度要求，可采用二次被银一次烧银，二次被银二次烧银，和三次被银三次烧银。

（4）、烧银
烧银前要在烘箱里把银层烘干，使部分溶剂挥发，
以免烧银时银层起鳞皮。

烧银可分四个阶段：

1，室温-350 ℃ [主要除去黏合剂，这时有大
  量气体产生，所以通风排气升温速度不超过   
  每小时150-200 ℃，并分阶段进行，避免气   
  泡，开裂。]
2,350-500℃,碳酸银与氧化银分解为银。
升温速度比第一阶段稍快点，但由于有气泡产生，也应适当控制。
3，500℃-最高烧渗温度。硼酸铅先熔化成玻璃态，氧化铋也熔化，与银颗粒构成悬浮态玻璃液，使银颗粒彼此黏结。玻璃液润湿瓷件并渗入起反应。形成过渡层，使银层与瓷件牢固结合。银的熔点为960 ℃，所以烧银温度不超过910 ℃。
4，冷却阶段，冷却要快，获得了结晶细密的银层。

烧银的整个过程都要保持氧化气氛，因为碳酸银，氧化银的分解是可逆的。要及时排除CO2，否则银层还原不足，增大了银层的电阻和损耗。
烧渗第一阶段主要变化：
200℃左右，溶剂挥发，继续升温，所有粘合剂碳化分解。
此阶段有大量气体产生，要注意通风排气，升温速度≯150~200℃/h
烧渗第二阶段主要变化：
碳酸银及氧化银分解还原为金属银。 Ag2CO3=Ag2O+CO2↑ 2Ag2O=4Ag+O2↑
此阶段升温速度可稍快，但因有气体逸出，也应适当控制。
烧渗第三阶段主要变化：
500~600℃左右，硼酸铅先熔化为玻璃态。随着温度升高，氧化铋等也相继熔化，与银粒构成悬浮态的玻璃液，使银粒晶体彼此粘结，玻璃液渗入瓷件表面，形成中间层，使银层与瓷件牢固粘结。
最佳的烧渗温度最高不超过910℃，一般在825±20℃，并高温保温15~20min。这一阶段的升温速度≯300℃/h。
烧渗第四阶段主要变化：
银层渐渐硬结
为了缩短周期及获得结晶致密的优质银层，冷却速度越快越好，但降温过快也要防止瓷件开裂。