本说明适用于深圳市宏宇杰科技有限公司生产的氮化铝陶瓷基板作为电路元件，广泛应用于通讯，计算机，仪器仪表，电力设备，汽车等各个领域，如LED照明电路，点火模块，大功率模块电路等，具有高热导率，低介电常数，低热膨胀系数，高机械强度，高耐腐蚀性。氮化铝陶瓷（AIN）应用领域广泛，具体为：
HBLED照明、建筑物照明及景观照明
微波/毫米波通讯：单层电容、芯片电阻、衰减器、薄膜电路
新能源汽车：点火模块、汽车传感器基座、感应温度、汽车前灯和尾灯
射频领域：高功率无线通讯领域、蜂窝电话网络（基站）、电视信号高速数据传输
大功率模块、IGBT、晶闸管散热、可控硅整流器、大功率体管
半导体激光二极管（LD）：光纤通讯系统、光学储存（高功率段）
大尺寸电视用的液晶及等离子显示屏的照明
大功率集成电路及封装

性能 单位 指标 测试条件
体积密度  g/cm3 3.29 　
吸水率  % 0 　
表面粗糙度 μm 0．02-0．05 　
抗弯强度 Mpa ≥330 　
介电常数  　 9-10 1MHZ/20℃
体积电阻率  Ω.cm ≥10/14次方 20℃
介质损耗 　1MHZ ≤4*(10/-4次方） 1MHZ/25℃
线膨胀系数 （RT-400℃）　 4．4　 　
耐热温度 ℃ 1200 　
热导率 w/(m .k) ≥170 20℃
最大翘曲度 （/25.4长度） 0．02-0．05